横河电机发布应用于DRAM量产的MT6111存储器测试系统

    最新发布的MT6111系统，是市场现有的MT6060系统的改进型。和MT6060系统相比较，MT6111系统提高了测试效率，减少了将近20%的量产测试时间。MT6111系统是为占据了很大半导体市场份额的DRAM的量产而设计的高性价比存储器测试机。除测试DRAM之外，MT6111也能应用于市场需求快速增长的NAND/NOR类型闪存[＊2]的测试。 

发展背景 

    半导体市场在过去30年内持续增长并且这种增长势头在未来还将继续。DRAM半导体器件的需求促动了这种市场增长。DRAM不仅在个人电脑上大量使用，也正在越来越广泛地应用于家用数码产品。可以预测到DRAM在半导体市场将持续地占有较大份额。 

    在半导体市场快速成长的同时，IC的制造厂家正在努力降低IC的制造成本来增强其在全球的竞争力。例如，早期微制成技术的应用就是为了能从一块晶圆上制造出更多的芯片。减少测试成本是半导体制造商增强其在全球竞争力的另一关键所在。为了迎合客户的此种需求，横河电机开发出高效能，低成本的DRAM测试系统。 

系统性能 

1. 并行测试
系统最大配置两个独立的测试站，最大的同测数目达到1024 DUT（MT6060产能的两倍），因此提高了系统的性能并且增强了测试制程的产出。 

2. 低成本高效率的量产测试
为了提高DRAM的测试效率并降低测试成本，MT6111的最大工作主频率达到140MHz。

3. 体积小重量轻 
MT6111系统仅占据横河电机先前同类系统60%的空间，给测试制程节省了大量的空间并且有利于整体运行成本的降低。

主要特性参数

最大工作频率: 140MHz
数据传输率: 280Mbits每秒
同测数目: 最大1024 DUT（两个测试站时）
测试站配置: 2个（单个测试站亦可） 

主要市场

半导体制造商和半导体测试公司

应用

半导体器件DRAM ，NAND和NOR类闪存的前道工艺晶圆测试。

[＊1] DRAM
DRAM是动态随机存储器的简称，是一类需定期刷新的随机存储器，主要应用于个人电脑。

[＊2] 闪存
闪存是一类可读写的稳定存储介质。NAND类闪存储器存储密度较高，主要应用于数码相机的存储卡等等。NOR类闪存储器能提供较高的随机存储性能，通常作为手机的存储介质。